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国家重点扶持半导体的企业
1
中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 北京 2
北京华润上华半导体有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 北京 3
北京微电子科技研究所 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 北京 4
北京燕东电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含）5
首钢日电电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含）6
北京半导体器件五厂 芯片制造 7
有研半导体材料股份有限公司 硅单晶材料 8
国泰半导体材料有限公司 硅单晶材料 9
中芯国际集成电路制造（天津）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 10
天津市环欧半导体材料技术有限公司 硅单晶材料 11
中国电子科技集团公司第十三研究所 芯片制造 线宽小于0.25微米 12
河北博威集成电路有限公司 芯片制造 13
河北普兴电子科技股份有限公司 硅单晶材料 14
锦州七七七微电子有限责任公司 芯片制造 15
上海宏力半导体制造有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 16
上海华虹NEC电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 17
上海集成电路研发中心有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 18
上海力芯集成电路制造有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 19
上海先进半导体制造股份有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 20
台积电（上海）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 21
中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 北京 北京 北京 北京 北京 天津 天津河北 河北 河北 辽宁上海 上海 上海 上海 上海 上海 上海
上海贝岭微电子制造有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 上海 23
上海新进半导体制造有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 上海 24
上海合晶硅材料有限公司 硅单晶材料 上海 25
上海新傲科技有限公司 硅单晶材料 上海 26
安靠封装测试（上海）有限公司 封装测试 27
海力士恒忆半导体有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 28
无锡华润上华科技有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 29
江苏东光微电子股份有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 30
无锡华润华晶微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 31
无锡华润晶芯半导体有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 32
无锡华润上华半导体有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 33
无锡华润微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 34
无锡中微晶国电有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 35
中国电子科技集团公司第五十八研究所 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 36
中国电子科技集团公司第五十五研究所 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 37
常州市华诚常半微电子有限公司 芯片制造 38
昆山中辰矽晶有限公司 硅单晶材料 39
南京国盛电子有限公司 硅单晶材料 40
和靓科技（苏州）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 41
杭州士兰集成电路有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 42
华越微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 43
杭州海纳半导体有限公司 硅单晶材料 上海 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 江苏 浙江 浙江 浙江
万向硅峰电子股份有限公司 硅单晶材料 浙江 45
杭州杭鑫电子工业有限公司 硅单晶材料 浙江 46
宁波比亚迪半导体有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 宁波 47
日银IMP微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 宁波 48
宁波立立电子股份有限公司 硅单晶材料 宁波立立半导体有限公司 硅单晶材料 49
福建福顺微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 50
河南新乡华丹电子有限责任公司 芯片制造 51
洛阳麦斯克电子材料有限公司 硅单晶材料 52
武汉新芯集成电路制造有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 53
长沙韶光微电子总公司 芯片制造 专用材料 54
长沙创芯集成电路有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 55
珠海南科集成电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 56
珠海南科单晶硅有限公司 硅单晶材料 57
深圳方正微电子有限公司 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 58
渝德科技（重庆）有限公司 芯片制造 线宽小于0.25微米 59
中国电子科技集团公司第二十四研究所 芯片制造 线宽小于0.8微米（含）60
贵州振华风光半导体有限公司 芯片制造 61
西安微电子科技研究所 芯片制造 线宽小于0.8微米（含） 62
陕西易佰半导体有限公司 硅单晶材料 63
天水华天微电子股份有限公司 芯片制造 64
天水天光半导体有限责任公司 芯片制造
宁波 宁波 福建 河南 河南 湖北 湖南 长沙 广东 广东 深圳 重庆 重庆 贵州 陕西 陕西 甘肃 甘肃
湘潭大学
材料与光电物理学院
IC 工 艺 实 验 报 告
学生姓名：
学生学号：
专业年级：
实习单位：
实习时间：
辅导老师：
2014年8月28日
本次实习在长沙韶光半导体公司开展，长沙韶光半导体有限公司（4435 厂）是国家生产军用集成电路的定点企业，集产品设计、芯片制造和封装三部分为一体。公司进行集成电路后工序的生产，经由工作人员的指导，我们参观并参与了后工序的制作，让我们对芯片制作有了一个更加直观的认识。接下来将详细介绍长沙韶光半导体公司陶瓷封装工艺流程及测试规范。
• 封装测试工艺流程
一．封装
1.封装基本概念
封装，就是指把硅片上的电路管脚，用导线接引到外部接头处，以便与其它器件连接。它不仅起着安装、固定、密封、保护芯片及增强电热性能等方面的作用，而且还通过芯片上的接点用导线连接到封装外壳的引脚上，这些引脚又
通过印刷电路板上的导线与其他器件相连接，从而实现内部芯片与外部电路的连接。因为芯片必须与外界隔离，以防止空气中的杂质对芯片电路的腐蚀而造成电气性能下降。另一方面，封装后的芯片也更便于安装和运输。由于封装技术的好坏还直接影响到芯片自身性能的发挥和与之连接的PCB(印制电路板)的设计和制造，因此它是至关重要的。
2 封装的工艺流程
流程一般可以分为两个部分：在用陶瓷封装之前的工序成为前段工序，在成型之后的操作成为后段工序。
前段工序包括：粘片键合封冒，是在超净间进行的
后端工序包括：电镀剪边蘸锡
2.1 粘片
粘片，即芯片粘贴，是将芯片固定于封装基板或引脚架芯片的承载座上的工艺过程。粘片主要有四种方式：共晶粘片法，焊接粘片法，导电胶粘片法，玻璃胶粘片法
2.1.1粘片原理
玻璃胶粘片法的材料是玻璃胶，是一种厚膜导体材料，由起粘接作用的低温玻璃粉和起导电作用的金属粉（主要是银粉）以及有机溶剂混合而成。用针筒或注射器将粘接剂（玻璃胶）涂布到芯片焊盘上，然后用自动拾片机（机械手）将芯片放置到焊盘的粘接剂上，在一定温度下固化处理
2.1.2 操作规程
1.准备外壳:按照产品的级别、封装形式、数量要求将外壳按一定的方向整齐地排列在金属传递盒内。
2.配置粘结剂:取玻璃粉少许，滴入适量松油醇，用玻璃棒搅匀，搅动时要按一个方向。
3.点粘结剂:用牙签将适量的粘结剂点入外壳底座中心，粘结剂量需根据芯片大小进行调整，必须将芯片四周完好的包住，但又不能溢到芯片表面。
4.装配芯片:用真空粘片笔将待装芯片按其对应的芯座图规定的方位放置,在外壳底座上，确认正确无误后，稍加力使之平整。
5.将装配好的第一只芯片交检验员进行首件检验，检验合格后，将做有标识
“Z”的首件隔开放置在传递盒内，易于识别。
6.重复1-5 操作
7.整批芯片装配完毕，送检验人员进行100%专检，修正与剔除不合格品。
8. 排气:将装配经检验合格的半制品放入洁净烘箱内排气：工艺条件：T = 210℃ ± 10℃ t = 30min~40min
9.固化:待排气时间结束后，从烘箱内取出半制品电路，放入链式烧结炉内固化。工艺条件：T = 420℃~450℃ t = 1h~1.5h
10.当电路随链式烧结炉链条传动到出口时，取出电路，检查符合质量要求后送下道工序。
2.1.3质量要求
1.粘结牢固，满足芯片剪切强度要求，玻璃粉充分融化，表面光亮，不残缺。
2.芯片表面干净，无有机溶剂残夜，无微粒尘埃，无粘结剂等附着在芯片上。
3.粘片合格率要求控制在99%以上，低于此合格率应按《不合格品控制程序》
4.标识：对不合格品进行标识和隔离。
2.1.3 注意事项
1.从烘箱内取出电路进入链式烧结炉时，要轻取轻放，以免芯片弹起或移动
2.常打扫烘箱内，链式烧结炉内卫生。
3.粘片用的金属传递盒要经常清洗，存放于玻璃柜内，使用前需用酒精棉 擦洗干净保证金属传递盒不带尘埃。
4.经常检查烘箱温控系统，保证安全生产。
5.玻璃粉要存放在干燥处，以免受潮。若发现玻璃粉受潮起坨现象，要立 即停用。
2.2 键合
键合的目的是实现芯片互连，也就是将芯片焊区与电子封装外壳的I/O引线或基板上的金属焊区相连接。
芯片互连有三种常见的技术：引线键合，倒装芯片键合，载带自动键合。
2.2.1 超声波键合的原理
超声波键合采用超声波的能量，使金属丝与铝电极在常温下直接键合。其原理是：利用超声波发生器产生的能量，通过换能器在超高频的磁场感应下，迅速伸缩而产生弹性振动，使劈刀相应振动，同时在劈刀上施加一定的压力于是劈刀在这两种力的共同作用下，带动Al丝在被焊区的金属化层如（Al膜）表面迅速摩擦，使Al丝和Al膜表面产生塑性变形，这种形变也破坏了Al层界面的氧化层，使两个纯净的金属表面紧密接触达到原子间的结合从而形成焊接。主要焊接材料为铝（Al），线焊头一般为楔形。超声键合适应性较好，外界环境要求不高，应用范围广泛。
2.2.2 超声波键合的过程
2.2.3 超声波键合的优缺点
优点：键合点尺寸小，回绕高度低，适合键合点间距小，密度高的芯片连接 缺点：所有的连线必须沿回绕方向排列，因此在连线过程中要不断改变芯片
半导体封装企业名单
半导体封装企业名单
中电科技集团公司第58研究所
南通富士通微电子有限公司
江苏长电科技股份有限公司
江苏中电华威电子股份有限公司
天水华天科技股份有限公司（749厂）
铜陵三佳山田科技有限公司
无锡华润安盛封装公司（华润微电子封装总厂）
中国电子科技集团第13研究所
乐山无线电股份公司
上海柏斯高模具有限公司
浙江华越芯装电子股份有限公司
航天771所
新科-金朋（上海）有限公司
江苏宜兴电子器件总厂
浙江东盛集成电路元件有限公司
北京科化新材料科技有限公司
上海华旭微电子公司
电子第24所
上海纪元微科电子有限公司
电子第47所
成都亚红电子公司
汕头华汕电子器件有限公司
上海长丰智能卡公司
江门市华凯科技有限公司
广州半导体器件厂
北京宇翔电子有限公司
北京飞宇微电子有限责任公司
深圳市商岳电子有限公司
绍兴力响微电子有限公司
上海永华电子有限公司
上海松下半导体有限公司
深圳深爱半导体有限公司
广东粤晶高科股份有限公司
江苏泰兴市晶体管厂
无锡KEC半导体有限公司【长沙韶光半导体】
捷敏电子（上海）有限公司
星球电子有限公司
强茂电子(无锡)有限公司
万立电子(无锡)有限公司
江苏扬州晶来半导体集团
晶辉电子有限公司
济南晶恒有限责任公司（济南半导体总厂）
无锡市无线电元件四厂
北京半导体器件五厂
吴江巨丰电子有限公司
苏州半导体总厂有限公司
快捷半导体(苏州)有限公司
无锡红光微电子有限公司
福建闽航电子公司
电子第55所
山东诸城电子封装厂
武汉钧陵微电子封装
外壳有限责任公司
山东海阳无线电元件厂
北京京东方半导体有限公司
电子第44所
电子第40所
宁波康强电子有限公司
浙江华科电子有限公司
无锡市东川电子配件厂
厦门永红电子公司
浙江华锦微电子有限公司
昆明贵研铂业股份有限公司
洛阳铜加工集团有限责任公司【长沙韶光半导体】
无锡市化工研究设计院
河南新乡华丹电子有限责任公司
安徽精通科技有限公司
无锡华晶利达电子有限公司
电子第43所
中国电子科技集团2所
长沙韶光微电子总公司
上海新阳电子化学有限公司
无锡华友微电子有限公司
均强机械(苏州)有限公司
东和半导体设备（上海）有限公司
复旦大学高分子科学系
清华大学材料科学与工程研究院
哈尔滨工业大学微电子中心
清华大学微电子所电子技术标准化所（4所）
信息产业部
电子5所
中科院电子研究所
先进晶园集成电路（上海）有限公司
东辉电子工业（深圳）有限公司
半导体工艺设备技术系列讲座 清洗技术
半导体工艺设备技术系列讲座 清洗技术
控制LSI良率和可靠性关键在于芯片的地损伤化和适应新材料需求。
由于新应用的问世，在以往的批处理的方式的清洗工艺基础上正在加速引入单个圆片清洗方式。 LSI制造工艺里的微粒，金属和有机物构成的器件污染危害非常严重，可使LSI电路产品的良率和可靠性下降，因此，在每一工艺流程环节里多要清除掉付着在硅圆片上的污染物。防止把污染代到下一到工序。由于清除硅圆片污染物的工艺。正是本文将要介绍的半导体清洗工艺。半导体清洗工艺是LSI制造工艺全部过程成中不可缺少的工艺流程，该道工序利用次数约占全部工序利用次数的20%- 25% ，使用频度相当高，下图
图1*清洗是大规模集成电路制造过程里不可缺少的工艺环节
清洗工艺是与大规模集成电路制造工艺精密相关的必要工艺，清洗工序利用率在全部制造工序里很高，清晰工序的利用次数约占全部工序利用次数的20%-50%
随着LSI工艺技术向精细化方向迈进，硅圆片清洗工艺的重要性比以往更为突出。虽然在设计线LSI电路是允许少许的污染物存在，但是还是会直接影响电路的良率和可靠性，于是如何清洗这些轻微的污染物也是越来越高的技术要求，详细情况如 图2所示
开始批量生产日期
（年） 2005 2006 2007 2008 2009 2010 2011 2012 2013
工艺技术时代 90 65 45 32
DRAM半间距（纳
米） 80 70 65 57 50 45 40 35 32 硅圆片直径（毫米
0 300 300 300 300 300 300 450 450 450
允许的微粒最大直径（纳
米） 40 35 32.5 28.5 25 22.5 20 17.5 16
允许的微粒数
量 97 64 80 54 68 86 123.3 155 195
每平方厘米基板表面允许的金属原子数量（10的10次方）
个 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5 0.5
背面的微粒直径（微
米） 0.2 0.16 0.16 0.16 0.16 0.14 0.14 0.14 0.14
硅氧化膜和硅氧化膜削减（纳
米） 0.8 0.7 0.5 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4 0.4
图2 在半导体精细化的过程里对清洗技术要求很高。
随着半导体工艺技术向精细化方向迈进，轻微的污染多影响大规模集成电路的良率和可靠性。图2的内容根据国际半导体技术指南的(ITRS)数据
本文将先说明硅圆片清洗的基本原理，然后介绍LSI精细化带来的新技术课题，最后介绍的技术开发现状。
以不同的药水清洗4种不同的污染物
附着在硅圆片上成为LSI电路污染源的物质，大体上有以下4中：微粒，自然氧化物，金属和有机物。用于清楚这些污染物的标准方法是“RCA清洗”方法，他是利用高纯度的纯净（去离子）水和药水。把附着在硅圆片上的污染物分离开来或溶解之后实现清楚的方法。半导体清洗的基本概念从1970年开始有美国无限电公司(RCA)的W.Kern先生倡导.
RCA清洗工艺技术的特点在于按照应该被清除的污染物种类选用相应的清洗药水，按照顺序进行不同的药水的清洗工艺，就可以清除掉所有附着在硅圆片上的各种污染物。根据对应的污染物种类，在清洗工艺里(图3)大体上使用以下4种药水1氨水和过氧化氢以及纯水的混合液简称AOM (ammonia peroxide mixture), 2氟酸和纯水的混合液，也叫做稀释的氢氟酸DHF(diluted HF) 3硫酸和过氧化氢的混合液简称4盐酸和过氧化氢以及纯水的混合液简称SPM (sulfuric peroxide mixture); 4 HPM (hydrochloric peroxide mixture ).
用药水清洗之所以能提高LSI。 电路的良率，关键在于正确地运用干燥方法处理清洗后的硅圆片。若没有从清洗后的硅圆片上完全把残余的药水除掉，则它容易成为新的污染，因此，结合清洗方式和清洗对对象，选取最佳的干燥方式是十分重要的。
药水名称 分子结构 清洗温度（°c） 清除的对象
APM NH4OH/H2O2/H2O 20 ︿﹀80 微粒/有机物
DHF HF/H2O 20 ︿﹀25 氧化膜
SPM H2SO2/H2O2 80 ︿﹀150 金属/有机物
HPM HCI/H2O2/H2O 20 ︿﹀ 80 金属
图3 根据要清除的对象分别使用相应的清洗药水。
在RCA清洗工艺清里，按照不同的药水的清洗工艺顺序进行清洗，就可以把所有附着在硅圆片上的各种污染物清除掉
利用药水和超声波清除微粒
当清除附着在硅圆片的微粒时，使用APM药水，参阅 图4所示。按照以下工艺流程进行操作：首先，由作为强氧化剂的过氧化氢把硅圆片的表面氧化，形成薄的二氧化硅膜；随后，由NH4OH对进行二氧化硅膜蚀刻；通过这种措施把微粒从硅圆片表面上剥离开来。同时由强氧化剂过氧化氢把硅膜氧化，形成二氧化硅。因为这层薄膜上不能在附着微粒，所以它是硅圆片表面的保护膜，具备可防止污染物附着的作用，在包含有NH4OH的碱性溶液里，被清除的微粒和二氧化硅膜都带有同样的电位，相互排斥，不可能在相互吸附。
在用APM构成的清除微粒的工艺流程里,利用由超生波构成的物理清洗作用强化了由药水构成的化学清洗作用，这是因为，药水一受到超声波的振动便产生气泡，气泡破裂之时产生的冲击力可把微粒从硅圆片上剥离开来，从而强化了清洗作用。
图4 利用硅圆片表面氧化和蚀刻工艺方法清除微粒
当清除附着在硅圆片表面的微粒时，使用作为氨水和过氧化氢以及纯水APM混合液的药水进行清洗
用氢氟酸清除自然氧化物【长沙韶光半导体】
对于硅圆片表面的自然氧化物，可用稀释氢氟酸的药水清洗掉, 作为强酸的氢氟酸, 利用它能溶解二氧化硅的作用,可清除自然氧化膜 ,详细情况如图5所示
在利用稀释的氢氟酸清洗硅圆片的工艺流程里，将会产生一种在使用其他的3种药水实现清洗都不会发生的独特问题，当对清洗后的硅圆片进行干燥时，在硅圆片表面上堆积一种叫做水痕的(water mark)二氧化硅水合物(SIO2-nH2O)请参阅图6所示，这种水痕会防碍后续工艺，结果导致产品的良率降低，因此，在使用稀释的氢氟酸清洗硅圆片的工艺流程里，要特别主意当进行干燥时必须采取措施（下文里有介绍）千万不可出现水痕迹现象。
在使用稀释的氢氟酸清洗过程之中之所以产生水痕，是因为干燥清洗后的硅圆片很容易使纯水滴残留在硅圆片上，而水滴里溶解的氧气侵蚀硅表面，致使在疏水性的硅圆片表面干燥后呈现出水痕斑斑的难堪景象，相比之下其他3种药水里多含有过氧化氢，使硅圆片表面被氧，由于被具有亲水性的二氧化硅覆盖。于是纯水不容易残留。也就没有图6所示的生成水痕的机制。所以根本不会产生水痕迹现象。
以强酸清除金属和有机物
对于硅圆片上附着的金属可以利用SPM和HPM 药书清除。参阅图7 所示。利用SPM药水中的硫酸和HPM药水种的盐酸各自所具有的强氧化能力，可把金属溶解在药水里进行清除。
在利用SPM和HPM进行清洗的工艺过程中，控制药水进行清洗的工艺流程中，控制药水的氢离子浓度(Ph)和还原电位是最重要的，因为根据Ph值和氧化还原电位值才能决定金属正处于那种状态 氧化还原电位已变成表征药水具有把金属氧化或还原能力的指标，冽
如药水的(Ph)值，在SPM药水里是由硫酸 (在HPM药水由盐酸)的浓度控制的 而氧化还原电位是由上述药水的酸浓度和过氧化氢的浓度两种浓度控制的，
当要清除附着在硅圆片上的有机物时， 必须要使用一种含有硫酸和过氧化氢而且还要具备分解有机物能力的SPM药水，详细情况请参阅图8 所示。成为大规模集成电路污染原因的最具代表性有机物，正是在光刻曝光工艺里使用的感光胶。当经过这一工艺流程之后。虽然利用O2等离子实现消除的清除感光胶工艺处理。但是往往都有残存的感光胶。在这种情况下，为了清除残存的赶感光胶有机物，就需要通过更强的氧化能力的高温硫酸处理，使碳原子氧化,变成二氧化碳之后被清除掉。
ˉ
图5 利用氢氟酸清楚自然氧化膜。
在硅圆片表面上生成的自然氧化膜，可利用稀释的氢氟酸（DHF）进行清除，因为，作为强酸的氢氟酸(HF)可把二氧化硅膜溶解掉
图10 关键在于适应铜/ 低介电常数值膜等新材料需求进行新技术开发
由于布线工艺里引入铜/ 低介电常数值膜等新材料，对应新材料的清洗工艺开发就变的越来越重要。
图11 在物理损伤里的实例是微细图形遭到破坏。
对于线条精细且纵横比大的图形由于仅仅受到超声波振动的轻微力作用，便容易被破坏， 图12 采用二流体清洗技术缓解物理损伤。
由喷嘴喷射出的氮气流和药水雾滴流冲向硅圆片表面并沿着圆片的径向扫描，同时硅圆片不停地旋转，于是硅圆片获得均匀而又全面地清洗，这样地清洗方式，不损伤硅圆片表面地图形， 图13 隔绝氧气之后可防止产生水痕现象。
在利用氮气地干燥工艺过程中，由于硅圆片周围处于受氮气包围地低氧状态，即使是硅圆片表面具有疏水性也不容易产生水痕现象。
图 14 利用臭氧水处理以后地硅圆片表面适合以原子层沉积法ALD生成绝缘膜。
因为用稀薄地臭氧水处理以后，在硅圆片表面覆盖有OH原子团，使得利用ALD方法生成High-k值绝缘膜成为可能
国家发展和改革委员会 工业和信息化部 海
关
总
署
国家税务总局
关于发布2010年度国家鼓励的集成电路企业名单的通知
发改高技[2011]699号
各省、自治区、直辖市及计划单列市、新疆生产建设兵团发展改革委、工业和信息化主管部门、国家税务局、地方税务局、海关总署广东分署、天津特派办、上海特派办、各直属海关：
为贯彻落实集成电路产业政策，根据《国家鼓励的集成电路企业认定管理办法（试行）》（发改高技[2005]2136号），经研究，国家发展改革委、工业和信息化部、海关总署、国家税务总局联合开展了国家鼓励的集成电路企业认定工作，现予公布（名单附后）。
在上述认定的企业中投资额超过80亿元人民币、线宽小于0.25微米、线宽小于0.8微米（含）的集成电路生产企业（见附表备注），可享受财政部、国家税务总局“财税[2008]1号”文件有关优惠政策。对此前经认定已开始享受定期减免税优惠的，凡适用条件未发生变化的，可继续享受至期满为止。企业享受进口税收优惠政策等具体事宜，按现行规定办理。
附表：2010年度国家鼓励的集成电路企业名单
二〇一一年四月六日
主题词：集成电路 企业 名单 通知 抄送：财政部、中国半导体行业协会
电子商务邀请函
尊敬的：
中国—欧盟信息社会项目是我国与欧盟在信息化领域的重要合作项目，旨在加强中国—欧盟交流与合作，通过信息化推动经济和社会发展。近年来，中国—欧盟信息社会项目办公室在各政府有关部门的合作与支持下，通过开展中国—欧盟有关法律法规的比较研究，信息化建设地方示范项目以及电子政务培训，推动高层对话和信息化能力建设等方面取得了显著的成果。
为交流中欧电子商务绩效评估研究的新进展、新成果，研讨中国以政府信息化推动的电子商务建设的地区案例，促进中国—欧盟更多富有成效的合作项目，中国—欧盟信息社会项目办公室定于2016年6月3日-7日在湖南长沙举办“电子政务/电子商务绩效评估案例研讨会”。
特此邀请。
（会议简介及日程安排见附件。）
中国—欧盟信息社会项目办公室
二〇一一年四月二十三日
电子商务邀请函 [篇2]尊敬的女士们、先生们： 沈阳市电子商务协会于2016年7月25日注册成立；本协会接受业务主管部门沈阳市服务业委员会的业务指导，接受社团登记管理机关沈阳市民政局的监督管理。 协会现有会员企业103家，协会成立初至今一直致力于采取多种措施加强会员之间的资源整合与互动交流。在协会影响及组织下，会员企业举行重大活动时，其他会员企业主动帮助其进行品牌宣传和对外推广，既提升资源利用率以，又扩大会员品牌知名度。协会的系列举措为会员的业务开展和会员之前合作创造了便利条件，协会的平台作用得以充分发挥。
协会性质：由沈阳市范围内从事电子商务研究开发、应用等相关领域的科研院所、企事业单位和股份公司自愿结合组成的地方性、行业性、非营利性社团组织。
协会宗旨：坚持党的基本路线，坚持科学发展观；遵守宪法、法律、法规和国家政策，遵守社会道德风尚；发挥政府和企业间的桥梁作用，对行业进行指导、协调、管理和资源整合;为政府服务，为社会服务，为会员服务，加强交流和合作；协助政府建立起电子商务统计分析、运行管理和发展促进机制，推进全市电子商务行业规范化、法制化、现代化发展。
协会口号：凝聚电商力量，助推东北振兴
附件1：入会条件及入会流程
附件2：沈阳市电子商务协会会费标准和管理办法
附件3：会员利益及义务
沈阳市电子商务协会
2016年7月
电子商务邀请函 [篇3]尊敬的：
当前，受金融危机影响，国际金融市场动荡加剧,全球经济增长明显放缓，为了适应当前的经济形势和进一步落实国家的《电子商务发展“十一五”规划》，经工业和信息化部批准，受国家发展和改革委员会、教育部、科技部、工业和信息化部、商务部、海关总署、国家邮政局等相关部委指导，由中国电子商务协会主办的第十二届“中国国际电子商务大会”，将于2016年5月26-27日在北京国际会议中心隆重举行。
本届大会将在前十一届大会成功的基础上，以“十年回顾、创新发展、应对危机、共同行动”为主题，就电子商务政策、环境、投融资、模式创新、区域发展、行业应用等方面进行深入交流和研讨，从县域特色产业电子商务试点到行业的推广、从企业应用到项目对接、从人才储备到扩大就业等领域全面推动我国电子商务的应用发展。
本届大会拟邀请十届全国人大常委会副委员长蒋正华、成思危等国家领导人及国家发展和改革委员会副主任张晓强、工业和信息化部副部长杨学山等相关部委近10位部长莅会指导，大会还将邀请倪光南等著名中国科学院和中国工程院院士，以及龙永图、马云等业界资深人士，数十位清华、北大等全国重点高等学府教授、各国驻中国大使馆官员及机构代表、100多个国家的华商代表、各省（自治区、直辖市）政府部门以及市长团、县长团、高中等职业学校校长团、2000多家著名企业和中小企业高层、数百家电子商务网站ceo和上百家媒体记者出席本届大会。
会上将举办600人规模的“中国国际电子商务投融资对接会”，邀请摩根士丹利、高盛集团、凯雷集团、鼎辉投资、弘毅投资、深圳创新投资集团、idg创业投资基金、英特尔投资、软银中国、红杉资本等100多家基金和工商银行、农业银行、中国银行、建设银行、招商银行等50多家金融机构参会，为行业企业及资金需求方提供投融资对接和股权融资服务。
为树立典范，激励先进，表彰十年以来在中国电子商务各领域各行业作出突出贡献的省（市、县）、行业协会、企业、专家、学者及业界优秀工作者，中国电子商务协会将在本届大会开幕式上限额颁发经协会严格评选出的、具有至高荣誉的“中国电子商务十年发展突出贡献”奖杯等，以体现企业的社会责任以及提升我国电子商务从业者的祟高地位，从而更好推动我国电子商务健康、和-谐发展。
大会组委会拟与央视二套《对话栏目》合作，在大会现场特别推出专题对话节目，以“金融危机下电子商务的机遇”为主题，从不同领域、不同视角，深度探讨当前经济形势下电子商务的机遇。本节目将于cctv2经济频道“对话栏目”播出，节目时长为60分钟。（为保证现场秩序，对话节目限人数参加）
为总结10年来我国电子商务发展情况，纪录部分领军企业的发展足迹和风采，从而更好的服务于我国电子商务的发展，本次大会将特编撰《中国电子商务十年发展》大会特刊及《中国电子商务十年发展论文集》及相关资料一套。
第十二届中国国际电子商务大会，不仅仅一次聚会！她是一个紧扣“中国电子商务前沿机遇”主题的展示平台！她是一场中国电子商务最顶级的头脑风暴！她是一次影响中国企业未来15年成长曲线的ceo群策会！
我们诚挚地邀请您出席大会！在非常时期共同携手推进中国电子商务发展！
附件：1、大会相关事宜 2、出席确认表 3、补充说明
中国电子商务协会
二00九年三月
电子商务邀请函 [篇4]尊敬的企业单位：
活动焦点：
l ##商务考察
：深入美国消费电子高新技术聚集地拉斯维加斯ces及旧金山硅谷，中国与国 际著名企业近距离交流；
l ##会议活动
：200场学术研讨会，41场主旨演讲，5000家媒体联合报道，共享ces国际盛会；
l ##高峰会晤
：全球重量级企业嘉宾出席，共同探讨消费电子产品现状及未来发展格局；
l ##投资解密
：联合cea、美国贸促会，共邀对进出口及海外投资有兴趣的参展商，进行商务合作配对与一对一面谈，“商务配对 ”力促投资与合作。
活动背景：
ces(全称consumer electronics show)是世界上最大、影响最为广泛的消费类电子技术年展，也是全球最大的消费技术产业盛会。由美国电子消费品制造商协会（简称cea）主办，旨在促进尖端电子技术和现代生活的紧密结合。该展览会专业性强，商业效果好，在世界上享有相当高的知名度。历年的ces展会均云集了当前最优秀的传统消费类电子厂商和it核心厂商，他们带去了最先进的技术理念和产品，吸引了众多的高新技术设备爱好者、使用者及业界观众。该展始于1967年，迄今已有47年历史，现已成为了全球各大电子产品企业发布产品信息和展示高科技水平及倡导未来生活方式的窗口。
首届ces展会于1967年6月在纽约举行，有参展厂商200家，参展人数达到17500人，到2016年的第45届拉斯维加斯展会上，共有来自140个国家的3100多家展商参加，约20000多个新产品在展会上推出，展出净面积18.6万平方米，展览总面积为37.2万平方米，观众超过15.3万人次，5000家媒体报道此次盛会，共举办41场主旨演讲，200场学术研讨会，同期颁发了年度创新产品奖。
如此规模庞大的展览和盛会，对促进国内与国际ce企业产品交流与合作达成提供了一个更广阔的平台。
此外，作为高新技术集中地的美国硅谷，吸引着google、intel、ibm、hp等消费电子类名牌企业。
鉴此
本文来源：http://www.gbppp.com/jy/384825/
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